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射频电磁场辐射抗扰度试验中,对设备4个侧面分别在发射天线垂直极化和水平极化位置进行试验,发射场强为10V/m。( )
发布时间:2026年08月10日 15:19 中迅网校 阅读量:1

射频电磁场辐射抗扰度试验中,对设备4个侧面分别在发射天线垂直极化和水平极化位置进行试验,发射场强为10V/m。( )

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